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MT53E2G64D8TN-046 WT:A
DRAM, LPDDR4, 128 Gbit, 2G x 64bit, 2.133 GHz, LFBGA, 556 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G64D8TN-046 WT:A
No. Parte Newark82AH0559
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G64D8TN-046 WT:A
No. Parte Newark82AH0559
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4
Densidad de DRAM128Gbit
Densidad de Memoria128
Configuración Memoria DRAM2G x 64bit
Configuración de Memoria2G x 64bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CILFBGA
Memoria, TipoLFBGA
No. de Pines556Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso-
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT53E2G64D8TN-046 WT:A is a LPDDR4 DRAM. It has a memory density of 128Gbit.
- 2G x 64bit memory configuration, surface mount
- 2.133GHz maximum clock frequency
- 556-pins LFBGA package
- 1.1V nominal supply voltage
- Operating temperature range from -25°C to 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4
Densidad de Memoria
128
Configuración de Memoria
2G x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
LFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
-
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
128Gbit
Configuración Memoria DRAM
2G x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
LFBGA
No. de Pines
556Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto