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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M32D1NP-046 WT:B
No. Parte Newark40AJ0881
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M32D1NP-046 WT:B
No. Parte Newark40AJ0881
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM16Gbit
Densidad de Memoria16
Configuración Memoria DRAM512M x 32bit
Configuración de Memoria512M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Memoria, TipoFBGA
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines-
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
MT53E512M32D1NP-046 WT:B es un CI DRAM.
- Densidad de 16Gb, configuración de componentes de 512M x 32
- Velocidad de 2133MHz
- 1.1/0.6V I/O voltaje
- Rango de temperatura de funcionamiento de -25°C a +85°C
- Paquete WFBGA de 200 bolas
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
16
Configuración de Memoria
512M x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
FBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de DRAM
16Gbit
Configuración Memoria DRAM
512M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
FBGA
No. de Pines
-
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
