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MT62F512M32D1DS-023 AIT:E
DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT62F512M32D1DS-023 AIT:E
No. Parte Newark86AK5754
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT62F512M32D1DS-023 AIT:E
No. Parte Newark86AK5754
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMMobile LPDDR5X
Densidad de Memoria16
Configuración de Memoria512M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj4.266
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines315Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR5X
Configuración de Memoria
512M x 32bit
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
16
Frecuencia Max de Reloj
4.266
No. de Pines
315Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto