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Cantidad | Precio en USD |
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1+ | $35.510 |
5+ | $34.760 |
10+ | $34.040 |
25+ | $33.470 |
50+ | $32.840 |
100+ | $32.460 |
Información del producto
Resumen del producto
MTA4ATF51264HZ-3G2R1 es un módulo SDRAM DDR4 de alta velocidad que utiliza un dispositivo SDRAM DDR4 con dos o cuatro grupos de bancos de memoria interna. Los módulos DDR4 SDRAM utilizan dispositivos DDR4 SDRAM de 4 y 8 bits de ancho y tienen cuatro grupos de bancos internos que constan de cuatro bancos de memoria cada uno, lo que proporciona un total de 16 bancos. El dispositivo SDRAM DDR4 de 16 bits de ancho tiene dos grupos de bancos internos que constan de cuatro bancos de memoria cada uno, lo que proporciona un total de ocho bancos. El módulo DDR4 SDRAM se beneficia del uso de una arquitectura de precarga 8n de DDR4 SDRAM con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de LECTURA o ESCRITURA para la SDRAM DDR4 consiste efectivamente en una única transferencia de datos de cuatro ciclos de reloj y 8n bits de ancho en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de medio ciclo de reloj y n bits de ancho en los pines de E/S. El módulo DDR4 utiliza dos conjuntos de señales diferenciales: DQS_t y DQS_c para capturar datos y CK_t y CK_c para capturar comandos, direcciones y señales de control.
- Densidad de módulo de 4 GB, configuración de 512 Meg x 64, ancho de banda del módulo de 25.6GB/s
- Reloj de memoria/velocidad de datos de 0.62ns/3200MT/s, 22-22-22 ciclos de reloj (CL-tRCD-tRP)
- Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
- Actualización automática de bajo consumo, inversión de bus de datos para bus de datos, bus de dirección/comando de control terminado
- Generación y calibración de VREFDQ en matriz, topología de vuelo de un solo rango
- EEPROM de detección de presencia serial (SPD) I²C integrado, 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
- Corte de ráfaga fijo de 4 y longitud de ráfaga de 8 a través del conjunto de registro de modo (MRS), contactos de borde dorado
- Paquete DIMM de 260 pines
- Rango de temperatura de funcionamiento comercial de 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C
Especificaciones técnicas
4GB
PC4-3200
Notebook SODIMM
1.14V
1.2V
95°C
No SVHC (17-Jan-2023)
1MHz
SO-DIMM SDRAM DDR4 260-Pines
512M x 64bit
1.26V
0°C
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto