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GAN041-650WSBQ
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.410 |
| 10+ | $15.560 |
| 25+ | $13.970 |
| 50+ | $12.380 |
| 100+ | $10.790 |
| 250+ | $9.200 |
| 600+ | $7.610 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN041-650WSBQ
No. Parte Newark45AJ4080
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id47.2
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041
Carga de Compuerta Típica22
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
GAN041-650WSBQ is a 650V, 35mohm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0V to +10V or 12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 47.2A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 187W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ (VGS = 10V; ID = 32A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 6.6nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 22nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 150nC typ (IS = 32A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.
0
Carga de Compuerta Típica
22
Montaje de Transistor
Through Hole
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
47.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto