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FDP61N20
MOSFET Transistor, N Channel, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 500+ | $1.920 |
| 1600+ | $1.830 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP61N20
No. Parte Newark04M9105
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id61A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia417W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
61A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
417W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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