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FDS2670
MOSFET, N-CH, 200V, 3A, SOIC-8
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS2670
No. Parte Newark46AC0809
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.960 |
| 10+ | $2.110 |
| 25+ | $1.940 |
| 50+ | $1.780 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS2670
No. Parte Newark46AC0809
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia2.5W
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS2670
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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