MICROFJ-30035-TSV-TR1

Los sensores de poca luz de la serie J de ON Semiconductor cuentan con una alta PDE (eficiencia de detección de fotones) que se logra mediante un proceso de fundición de silicio P-on-N de alto volumen. Los sensores de la serie J incorporan importantes mejoras en la distribución del tiempo de tránsito, lo que da como resultado una mejora significativa en el rendimiento de tiempo del sensor. Los sensores de la serie J están disponibles en diferentes tamaños (3 mm, 4 mm y 6 mm) y utilizan un proceso TSV (a través de Silicon Via) para crear un paquete con un espacio muerto mínimo, que es compatible con los procesos de soldadura por reflujo sin plomo estándar de la industria.