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MMBFJ110
JFET, -25V, 0.01A, 150DEG C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.677 |
| 10+ | $0.434 |
| 25+ | $0.387 |
| 50+ | $0.339 |
| 100+ | $0.291 |
| 250+ | $0.258 |
| 500+ | $0.223 |
| 1000+ | $0.200 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ110
No. Parte Newark07AH4153
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25V
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero10mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-4V
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines3 Pin
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
10mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-4V
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Diseño de Transistor
SuperSOT
Tipo de Transistor
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ110
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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