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NTMFWS1D5N08XT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.970 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFWS1D5N08XT1G
No. Parte Newark85AK4674
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id253
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00143
Diseño de TransistorDFNW-EP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6
Disipación de Potencia194
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
253
Diseño de Transistor
DFNW-EP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
194
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00143
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto