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NVTJD4001NT1G
MOSFET, N-CH, 30V, 0.25A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.148 |
| 6000+ | $0.133 |
| 12000+ | $0.122 |
| 18000+ | $0.114 |
| 30000+ | $0.107 |
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Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTJD4001NT1G
No. Parte Newark86AK5886
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N250mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P250mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N272mW
Disipación de Potencia de Canal P272mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
250mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
272mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
250mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
272mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza NVTJD4001NT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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