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QSE113
INFRARED PHOTOTRANSISTOR, NPN, 880NM,
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteQSE113
No. Parte Newark80K8596
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $0.735 |
| 100+ | $0.559 |
| 500+ | $0.480 |
| 1000+ | $0.454 |
| 2500+ | $0.432 |
| 10000+ | $0.394 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteQSE113
No. Parte Newark80K8596
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.880nm
Ángulo de Visión25°
Consumo de Potencia100mW
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorRadial Leaded
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
880nm
Consumo de Potencia
100mW
Diseño de Transistor
Radial Leaded
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Ángulo de Visión
25°
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto