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QSE113
INFRARED PHOTOTRANSISTOR, NPN, 880NM,
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteQSE113
No. Parte Newark80K8596
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.880nm
Ángulo de Visión25°
Consumo de Potencia100mW
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorRadial Leaded
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
880nm
Consumo de Potencia
100mW
Diseño de Transistor
Radial Leaded
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Ángulo de Visión
25°
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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