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UHB50SC12E1BC3N
SIC MOSFET, P-CH, 1.2KV, 69A, PIM
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUHB50SC12E1BC3N
No. Parte Newark49AM1483
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
24 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $257.100 |
| 10+ | $247.410 |
| 48+ | $238.700 |
| 72+ | $233.300 |
| 120+ | $220.390 |
| 264+ | $216.130 |
| 504+ | $211.780 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUHB50SC12E1BC3N
No. Parte Newark49AM1483
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id69A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Diseño de TransistorPIM
No. de Pines18Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia208W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
69A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
No. de Pines
18Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
208W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto