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SCT3030ALGC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 70 A, 650 V, 30 mohm, TO-247
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3030ALGC11
No. Parte Newark05AC9460
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $31.380 |
| 5+ | $29.750 |
| 10+ | $28.110 |
| 25+ | $26.490 |
| 60+ | $24.860 |
| 120+ | $23.500 |
| 270+ | $22.140 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3030ALGC11
No. Parte Newark05AC9460
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id70
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd262W
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia262
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
262
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
70
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Diseño de Transistor
TO-247N
Disipación de Potencia Pd
262W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SCT3030ALGC11
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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