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SCTW40N120G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW40N120G2V
No. Parte Newark40AJ8414
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.570 |
| 10+ | $20.290 |
| 25+ | $19.530 |
| 50+ | $18.850 |
| 100+ | $18.410 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW40N120G2V
No. Parte Newark40AJ8414
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.07ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45V
Disipación de Potencia278W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.07ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
278W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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