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SCTW40N120G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 70 mohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW40N120G2V
No. Parte Newark40AJ8414
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.620 |
| 10+ | $17.030 |
| 25+ | $16.670 |
| 60+ | $16.100 |
| 120+ | $15.740 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW40N120G2V
No. Parte Newark40AJ8414
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45
Disipación de Potencia278
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
278
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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