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STB60NF06LT4
MOSFET, N-CH, 60A, TO-263-3 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $1.340 |
| 2000+ | $1.300 |
| 4000+ | $1.290 |
| 6000+ | $1.270 |
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Múltiple: 1000
$1,340.00
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB60NF06LT4
No. Parte Newark87AK5790
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STB60NF06LT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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