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CSD88584Q5DCT
MOSFET, DUAL N-CH, 40V, VSON
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD88584Q5DCT
No. Parte Newark26AJ5590
Rango de ProductoNexFET Series
Su número de pieza
No está disponible
Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD88584Q5DCT
No. Parte Newark26AJ5590
Rango de ProductoNexFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente680µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente680µohm
Diseño de TransistorVSON
No. de Pines22Pines
Disipación de Potencia de Canal N12W
Disipación de Potencia de Canal P12W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoNexFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
680µohm
No. de Pines
22Pines
Disipación de Potencia de Canal P
12W
Rango de Producto
NexFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
680µohm
Diseño de Transistor
VSON
Disipación de Potencia de Canal N
12W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidad del producto