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SSM6L36FE,LM(T
MOSFET, N/P-CH, 20V, 0.5A, SOT-563 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 8000+ | $0.073 |
| 16000+ | $0.064 |
| 24000+ | $0.060 |
| 40000+ | $0.052 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L36FE,LM(T
No. Parte Newark83AK2807
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N500mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P330mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.63ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1.31ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N150mW
Disipación de Potencia de Canal P150mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
330mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1.31ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
150mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
500mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.63ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto