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BPW16N
Fototransistor, 825 nm, 40 °, 100 mW, 2 Pines, T-3/4 (1.8mm)
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteBPW16N
No. Parte Newark32C9145
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 100+ | $0.363 |
| 500+ | $0.310 |
| 1000+ | $0.274 |
| 2500+ | $0.255 |
| 10000+ | $0.236 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteBPW16N
No. Parte Newark32C9145
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.825nm
Ángulo de Visión40°
Consumo de Potencia100mW
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorT-3/4 (1.8mm)
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jan-2020)
Resumen del producto
El BPW16N es un fototransistor NPN de silicio con alta sensibilidad radiante en un paquete de plástico transparente con ventana plana. Es sensible a la radiación infrarroja visible y cercana. En PCB, este tamaño de paquete permite el montaje de matrices con un paso de 2.54mm. Es adecuado para detectores en circuitos electrónicos de control y accionamiento.
- Paquete con terminales
- Alta foto sensibilidad
- Alta sensibilidad radiante
- Adecuado para radiación infrarroja visible y cercana
- Tiempo de respuesta rápido
- ϕ = ±40° Ángulo de media sensibilidad
Aplicaciones
Instrumentación y Medida, Automatización y Control de Procesos
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
825nm
Consumo de Potencia
100mW
Diseño de Transistor
T-3/4 (1.8mm)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Ángulo de Visión
40°
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jan-2020)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jan-2020)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto