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BPW77NB
Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pines, TO-18
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteBPW77NB
No. Parte Newark95B4219
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.850nm
Ángulo de Visión10°
Consumo de Potencia250mW
Núm. de Contactos3Pines
Diseño de TransistorTO-18
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
El BPW77NB es un fototransistor NPN de silicio con alta sensibilidad radiante en un paquete herméticamente sellado con terminal base y lente de vidrio. Es sensible a la radiación infrarroja visible y cercana. Es adecuado para detectores en circuitos electrónicos de control y accionamiento.
- Alta foto sensibilidad
- Alta sensibilidad radiante
- Adecuado para radiación infrarroja visible y cercana
- Tiempo de respuesta rápido
- ϕ = ±10° Ángulo de media sensibilidad
- Terminal base conectada
- Paquete herméticamente sellado y plomado
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
850nm
Consumo de Potencia
250mW
Diseño de Transistor
TO-18
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Ángulo de Visión
10°
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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