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BPW85C
Fototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pines, T-1 (3mm)
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteBPW85C
No. Parte Newark32C9163
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.850
Ángulo de Visión25
Consumo de Potencia100
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorT-1 (3mm)
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jan-2020)
Resumen del producto
The BPW85C is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear plastic package. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±25° Angle of half sensitivity
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
850
Consumo de Potencia
100
Diseño de Transistor
T-1 (3mm)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Ángulo de Visión
25
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jan-2020)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jan-2020)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto