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SIZ342DDT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 33.6A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ342DDT-T1-GE3
No. Parte Newark13AM5305
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.275 |
| 10+ | $0.242 |
| 25+ | $0.215 |
| 50+ | $0.131 |
| 100+ | $0.106 |
| 250+ | $0.089 |
| 500+ | $0.070 |
| 1000+ | $0.056 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ342DDT-T1-GE3
No. Parte Newark13AM5305
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N33.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente9200µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N16.7W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
33.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
9200µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
16.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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