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SIZ988DT-T1-GE3
DUAL MOSFET/N-CH/30V/60A/POWERPAIR 6 X 5 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ988DT-T1-GE3
No. Parte Newark80AK5279
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.990 |
| 10+ | $1.270 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $0.990 |
| 100+ | $0.852 |
| 250+ | $0.764 |
| 500+ | $0.675 |
| 1000+ | $0.619 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ988DT-T1-GE3
No. Parte Newark80AK5279
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2800µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N40W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2800µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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