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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteTSML1000
No. Parte Newark33C1780
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Pico940
Ángulo de Intensidad Media12
Estilo de la Carcasa del Diodo-
Intensidad Radiante (Ie)7
Tiempo de Subida800
Tiempo de Descenso tf800
Corriente Directa If(AV)20
Voltaje Directo VF Máx.1.2
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Resumen del producto
The TSML1000 is a 940nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package (with lens) for surface mounting (SMD). It is suitable for use in remote control, punched tape readers, encoder, photointerrupters.
- High speed
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±12° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Versatile terminal configurations
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Pico
940
Estilo de la Carcasa del Diodo
-
Tiempo de Subida
800
Corriente Directa If(AV)
20
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Ángulo de Intensidad Media
12
Intensidad Radiante (Ie)
7
Tiempo de Descenso tf
800
Voltaje Directo VF Máx.
1.2
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto