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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-3C06EV07T-M3/I
No. Parte Newark11AM8561
Rango de ProductoeSMP Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.600 |
| 10+ | $2.360 |
| 25+ | $2.110 |
| 50+ | $1.880 |
| 100+ | $1.640 |
| 250+ | $1.520 |
| 500+ | $1.380 |
| 1000+ | $1.320 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-3C06EV07T-M3/I
No. Parte Newark11AM8561
Rango de ProductoeSMP Series
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductoeSMP Series
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650
Corriente Directa Promedio6
Carga Capacitiva Total17
Estilo de la Carcasa del DiodoSlimDPAK
No. de Pines2 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
VS-3C06EV07T-M3/I is a 650V, 6A Gen 3 power SiC merged PIN Schottky diode. This wide band gap SiC based 650V Schottky diode, designed for high performance and ruggedness. It is an optimum choice for high speed hard switching and efficient operation over a wide temperature range, it is also recommended for all applications suffering from Silicon ultrafast recovery behavior. Typical applications include AC/DC PFC and DC/DC ultra high frequency output rectification in FBPS and LLC converters.
- Creepage and clearance distance of 2.8mm (0.11") minimum
- Very low profile – typical height of 1.3mm
- Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
- Improved VF and efficiency by thin wafer technology
- Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
- Virtually no recovery tail and no switching losses
- Temperature invariant switching behavior
- 175°C maximum operating junction temperature
- MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
- Meets JESD 201 class 2 whisker test
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
eSMP Series
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650
Carga Capacitiva Total
17
No. de Pines
2 Pin
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
6
Estilo de la Carcasa del Diodo
SlimDPAK
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
