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UC3845BDR2G
Transistor FET RF, 40 V, 4 A, 62.5 W, 135 MHz, 175 MHz, PLD-1.5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUC3845BDR2GCopiar
No. Parte Newark43K5594
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id4
Disipación de Potencia62.5
Frecuencia de Funcionamiento Mín.135
Disipación de Potencia Pd62.5W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.175
Diseño de TransistorPLD-1.5
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RFPLD-1.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Disipación de Potencia
62.5
Disipación de Potencia Pd
62.5W
Diseño de Transistor
PLD-1.5
Encapsulado de Transistor RF
PLD-1.5
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Intensidad Drenador Continua Id
4
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
135
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
175
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto