HMC414MS8GE

El HMC414MS8GE es un amplificador de potencia MMIC de transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP de alta eficiencia que funciona entre 2.2 y 2.8GHz. El amplificador está empaquetado en un paquete de 8 conductores de montaje en superficie de bajo costo con una base expuesta para mejorar el rendimiento térmico y de RF. Con un mínimo de componentes externos, el amplificador proporciona 20 dB de ganancia, +30dBm de potencia saturada al 32 % de PAE desde una tensión de alimentación de +5V. El amplificador también puede operar con un suministro de 3.6V. Vpd se puede utilizar para el apagado completo o el control de corriente/potencia de salida de RF. Este amplificador es ideal para usar como amplificador de potencia para aplicaciones de 2.2 a 2.7GHz BLUETOOTH, MMDS.

• Capacidad de apagado, bajo número de piezas externas
• Rango de frecuencia de 2.2 a 2.8GHz (Vs = 3.6V, TA = +25 °C)
• La ganancia es de 20 dB (típico, Vs = 3.6 V, TA = +25 °C)
• La variación de ganancia sobre la temperatura es de 0.03dB / °C (típ., Vs = 3.6V, TA = +25 °C)
• La pérdida de retorno de entrada es de 8dB (típico, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
• La pérdida de retorno de salida es de 9 dB y el factor de ruido es de 6.5dB (típico, Vs = 3.6V, TA = +25 °C)
• La potencia de salida para una compresión de 1 dB (P1dB) es de 25 dBm (típico, Vs = 3,6 V, TA = +25 °C)
• La potencia de salida saturada es de 27dBm (típ., Vs = 3.6V, TA = +25 °C)
• La intercepción de tercer orden de salida es de 35dBm (típico, Vs = 3.6V, TA = +25 °C)
• Paquete MSOP-EP de 8 pines, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85 °C

Notas

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