HMC435AMS8GETR

El HMC435AMS8GE es un conmutador SPDT MESFET de GaAs de CD a 4 GHz no reflectante. Este conmutador es ideal para aplicaciones celulares/3G y WiMAX/4G que producen un aislamiento de hasta 60 dB, una baja pérdida de inserción de 0,8 dB y una entrada IP3 de +50 dBm. El manejo de la potencia es excelente hasta la banda WiMAX de 3.8GHz y el conmutador ofrece una compresión P1dB de +30dBm. El circuito en chip permite un control de voltaje positivo de 0V/+5 voltios a corrientes de CD muy bajas. Es ampliamente utilizado en aplicaciones tales como estaciones base y repetidores, infraestructura y puntos de acceso, CATV/CMTS, instrumentación de prueba, etc.

• La pérdida de inserción es de 0.8dB típica a (CD - 2.5 GHz, TA = +25 °C, Vctl = 0/+5 VCD)
• El aislamiento (RFC a RF1/RF2) es de 62dB típico a (CD - 1GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vcd)
• La potencia de entrada para la compresión de 1dB es de 30dBm típica a (0.5GHz a 4GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5 VCD)
• La intercepción de entrada de tercer orden es de 54dBm típica a (0.5GHz a 1GHz, TA = +25 °C, Vctl = 0/+5 VCD)
• La velocidad de conmutación es típica de 40ns a (DC - 4GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vcd)
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo del paquete es ultrapequeño MSOP-86

Notas

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