Diodos Schottky:

Nuevos Semiconductores - Discretos

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

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TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

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IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

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Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

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Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

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MOSFET de potencia de canal N

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650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

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Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

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MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

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Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

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EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

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PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

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Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

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Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

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