Puente Rectificador de Diodos | Newark Electrónica México

Filtro(s) aplicado(s)

Voltaje Directo Máx.

:

1.75V

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	SKD31/08	97K9823 Data Sheet RoHS Fecha y lote	SEMIKRON Bridge Rectifier Diode Three 800 V 31 A Module 1.75 V 5 RoHS Compliant: Yes		Cada	1+ $30.750 5+ $29.470 10+ $28.170 25+ $26.850 50+ $25.430 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	Three Phase	800V	31A	Module	5Pines	1.75V	Panel Mount	370A	125°C	SEMIPONT 1 SKD 31 Series
	VS-60MT120KPBF	88K9613 Data Sheet RoHS	VISHAY Puente Rectificador Trifásico 1.2 kV 60 A Módulo 6 Pines 1.75 V		Cada	10+ $49.350	Mín: 15/Múlt: 15	Trifásico	1.2kV	60A	Módulo	6Pines	1.75V	Montaje en Panel	440A	150°C	-
	SKD31/12	97K9824 Data Sheet RoHS Fecha y lote	SEMIKRON Bridge Rectifier Diode Three 1.2 kV 31 A Module 1.75 V 5 RoHS Compliant: Yes		Cada	1+ $58.480 5+ $54.550 10+ $50.710	Mín: 1/Múlt: 1	Three Phase	1.2kV	31A	Module	5Pines	1.75V	Panel Mount	370A	125°C	SEMIPONT 1 SKD 31 Series

Artículos por página:

1-3 de 3 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS