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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R17KE3HOSA1
No. Parte Newark13AC8641
Rango de Producto62mm C
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua310
Corriente de Colector DC310A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Disipación de Potencia Pd1.25kW
Disipación de Potencia1.25
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.7kV
Temperatura de Trabajo Máx.125
Temperatura de Union, Tj Máx.125°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7
Tecnología IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto62mm C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- Módulo de la serie C de 62mm con trinchera/tope de campo IGBT³ y diodo controlado por emisor³
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
310
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2
Disipación de Potencia Pd
1.25kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.7kV
Temperatura de Union, Tj Máx.
125°C
Terminación del IGBT
Tab
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
62mm C
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Corriente de Colector DC
310A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto