Módulos IGBT :
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=11Pines
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Configuración IGBT
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Transistor, Polaridad
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Corriente de Colector DC
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Corriente del Colector Continua
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Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
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Disipación de Potencia Pd
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Disipación de Potencia
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Temperatura de Trabajo Máx.
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| Comparar | Número de pieza del fabricante | Código Farnell | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio en USD | Cantidad | Configuración IGBT | Transistor, Polaridad | Corriente de Colector DC | Corriente del Colector Continua | Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | Voltaje de Saturación Colector Emisor | Disipación de Potencia Pd | Disipación de Potencia | Temperatura de Trabajo Máx. | Temperatura de Union, Tj Máx. | Diseño de Transistor | Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | No. de Pines | Terminación del IGBT | Voltaje Máx. Colector a Emisor | Tecnología IGBT | Montaje de Transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | 1+$116.670 5+$114.400 10+$112.010 36+$110.820 60+$109.670 Más precios… | Half Bridge | Canal N Dual | 309A | 309 | 2V | 2 | 1.006kW | 1.006 | 150 | 150°C | Module | 1.2kV | 11Pines | Stud | 1.2 | Trench Field Stop | Panel | ||||||
Cada | 1+$116.420 5+$114.250 10+$111.980 36+$110.830 60+$109.740 Más precios… | Half Bridge | Canal N Dual | 630A | 630 | 2V | 2 | 2.083kW | 2.083 | 150 | 150°C | Module | 1.2kV | 11Pines | Stud | 1.2 | Trench Field Stop | Panel | ||||||
Cada | 1+$126.390 5+$123.920 10+$121.350 30+$120.060 50+$118.800 Más precios… | Medio Puente | Canal N Dual | 368A | 368 | 2V | 2 | 1.229kW | 1.229 | 150 | 150°C | Module | 1.2kV | 11Pines | Perno | 1.2 | Parada de campo de zanja | Panel | ||||||
Cada | 1+$151.720 5+$148.750 10+$145.650 25+$144.110 50+$142.600 Más precios… | Medio Puente | Canal N Dual | 480A | 480 | 2V | 2 | 1.613kW | 1.613 | 150 | 150°C | Module | 1.2kV | 11Pines | Perno | 1.2 | Parada de campo de zanja | Panel | ||||||

