Módulos IGBT:
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Configuración IGBT
Transistor, Polaridad
Corriente de Colector DC
Corriente del Colector Continua
Voltaje de Saturación Colector Emisor
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
Temperatura de Trabajo Máx.
Temperatura de Union, Tj Máx.
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
Diseño de Transistor
No. de Pines
Terminación del IGBT
Voltaje Máx. Colector a Emisor
Tecnología IGBT
Montaje de Transistor
Rango de Producto
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | |||||||||||||||||||||
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Cada | El precio no está disponible. Contáctese con Servicio al cliente. | - | Canal N | 530A | 530A | 2.35V | 1.2kV | 150°C | 150°C | 1.2kV | SEMITRANS 4 | 5Pines | Perno | 1.2kV | - | Panel | Serie SEMITRANS 2 SKM | ||||||
Cada | 5+ $375.670 | Mín: 12/Múlt: 12 | Medio Puente | Canal N | 260A | 260A | 2.45V | 1.7kV | 150°C | 150°C | 1.7kV | SEMITRANS 3 | 7Pines | Perno | 1.7kV | IGBT 3 [Zanja] | Panel | Serie SEMITRANS 2 SKM | |||||

