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NX1029XH
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX1029XH
No. Parte Newark17AH9218
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N330
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P330
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-666
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500
Disipación de Potencia de Canal P500
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza NX1029XH
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
330
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
330
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia de Canal N
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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