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MOSFETs Dobles :
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Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
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Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
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Intensidad Drenador Continua Id
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Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
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Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
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Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
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Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
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Diseño de Transistor
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Embalaje
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| Comparar | Número de pieza del fabricante | Código Farnell | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio en USD | Cantidad | Tipo de Canal | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | Diseño de Transistor | No. de Pines | Disipación de Potencia de Canal N | Disipación de Potencia de Canal P | Temperatura de Trabajo Máx. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$0.702 10+$0.437 25+$0.393 50+$0.348 100+$0.304 Más precios… | Canal N | 20 | 0 | 0 | 20 | 5.8 | 5.8 | 0.017 | 0.017 | TSOT-26 | 6Pines | 1.1 | 1.1 | 150 | ||||||
Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo | 2500+$0.420 5000+$0.403 | Canal complementario N y P | 30 | 30V | 8.6A | 30 | 8.6 | 8.6 | 0.017 | 0.017 | SOIC | 8Pines | 2 | 2 | 150 | ||||||
