MOSFETs Dobles | Newark Electrónica México

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Comparar	Número de pieza del fabricante	Código Farnell	Fabricante / Descripción	Disponibilidad	Precio para	Precio en USD	Cantidad	Tipo de Canal	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P	Corriente de Drenaje Continua Id Canal N	Corriente de Drenaje Continua Id Canal P	Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente	Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente	Diseño de Transistor	No. de Pines	Disipación de Potencia de Canal N	Disipación de Potencia de Canal P	Temperatura de Trabajo Máx.

	NTJD4105CT2G	13AC3885 Data Sheet RoHS	ONSEMI MOSFET Dual Canal complementario N y P 20 V 20 V 630 mA 630 mA 0.29 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.402 50+$0.196 100+$0.175 250+$0.157 500+$0.138 Más precios…		Canal complementario N y P	20	0	0	20	630	630	0.29	0.29	SOT-363	6Pines	270	270	150
	PMGD290XN,115	34R4572 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET Dual Canal N 20 V 200 mA 0.29 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	5+$0.469 15+$0.290 25+$0.284		N Channel	20	20V	860mA	-	200	-	0.29	-	SOT-363	6Pines	410	-	150
	PMDT290UCE,115	75T8010 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET Dual Canal complementario N y P 20 V 20 V 800 mA 800 mA 0.29 ohm		Cada	5+$0.582 15+$0.357 25+$0.350		Complementary N and P Channel	20	20V	800mA	20	800	800	0.29	0.29	SOT-666	6Pines	330	330	150
	PMGD290UCEAX	12X8769 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET Dual Canal complementario N y P 20 V 20 V 725 mA 725 mA 0.29 ohm		Cada	5+$0.498 15+$0.304 25+$0.298		Complementary N and P Channel	20	20V	725mA	20	725	725	0.29	0.29	SOT-363	6Pines	445	445	150
	PMDT290UNE,115	75T8011 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET Dual Canal N 20 V 20 V 800 mA 800 mA 0.29 ohm		Cada	5+$0.478 15+$0.294 25+$0.287		N Channel	20	20V	800mA	20	800	800	0.29	0.29	SOT-666	6Pines	500	500	150

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