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MOSFETs Dobles :
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Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
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Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
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Intensidad Drenador Continua Id
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Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
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Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
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Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
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Diseño de Transistor
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| Comparar | Número de pieza del fabricante | Código Farnell | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio en USD | Cantidad | Tipo de Canal | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | Diseño de Transistor | No. de Pines | Disipación de Potencia de Canal N | Disipación de Potencia de Canal P | Temperatura de Trabajo Máx. | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$1.790 10+$1.180 25+$1.060 50+$0.944 100+$0.828 Más precios… | Canal P | - | 30V | 6.9A | 30 | - | 6.9 | - | 0.022 | SOIC | 8Pines | - | 1.6 | 150 | - | ||||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$0.659 10+$0.549 25+$0.494 50+$0.447 100+$0.392 Más precios… | Complementary N and P Channel | 30 | 30V | 6.8A | 30 | 6.8 | 6.8 | 0.027 | 0.022 | SOIC | 8Pines | 2 | 2 | 150 | HEXFET Series | ||||||
