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MOSFETs Sencillos :
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Fabricante
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Disipación de Potencia Pd
=130mW
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Tipo de Canal
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Transistor, Polaridad
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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
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Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
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Diseño de Transistor
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| Comparar | Número de pieza del fabricante | Código Farnell | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio en USD | Cantidad | Tipo de Canal | Transistor, Polaridad | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | Resistencia de Activación Rds(on) | Diseño de Transistor | Montaje de Transistor | Voltaje de Prueba Rds(on) | Disipación de Potencia Pd | Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | Disipación de Potencia | No. de Pines | Temperatura de Trabajo Máx. | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | 1+$1.770 10+$1.170 100+$0.820 500+$0.672 1000+$0.658 Más precios… | N Channel | Canal N | 100V | 33A | 0.044ohm | 0.044ohm | TO-220AB | Through Hole | 10V | 130mW | 4V | 130W | 3Pines | 175°C | HEXFET Series | ||||||
Cada | 1+$1.700 10+$1.130 100+$0.806 500+$0.666 1000+$0.653 Más precios… | Canal N | Canal N | 100V | 33A | 44 | 0.044ohm | TO-220AB | Agujero Pasante | 10V | 130mW | 4V | 130W | 3Pines | 175°C | - | ||||||
