MOSFETs Sencillos | Newark Electrónica México

Aviso Importante:

Debido a cambios recientes en nuestros sistemas, los tiempos de procesamiento pueden ser mayores. Agradecemos su comprensión y confianza.

Comparar	Número de pieza del fabricante	Código Farnell	Fabricante / Descripción	Disponibilidad	Precio para	Precio en USD	Cantidad	Tipo de Canal	Transistor, Polaridad	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente	Resistencia de Activación Rds(on)	Diseño de Transistor	Montaje de Transistor	Voltaje de Prueba Rds(on)	Disipación de Potencia Pd	Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente	Disipación de Potencia	No. de Pines	Temperatura de Trabajo Máx.	Calificación	Rango de Producto

	TPHR8504PL1,LQ(M	09AK8977 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 40 V 150 A 850 µohm SOP Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.500 50+$2.200 100+$1.980 250+$1.770 500+$1.540 Más precios…		N Channel	0	40	150	850	0	SOP	Surface Mount	10	0	2.4	210	8Pines	175	-	-
	STW45N65M5	34AC1986 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS MOSFET de Potencia Canal N 650 V 35 A 0.067 ohms TO-247 Agujero Pasante		Cada	1+$10.650 10+$9.470 25+$8.290 50+$7.100 100+$6.680 Más precios…		N Channel	Canal N	650	35	0.067	0.067ohm	TO-247	Through Hole	10	210W	4	210	3Pines	150	-	MDmesh V
	TPH3R70APL1,LQ(M	09AK8988 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 100 V 90 A 0.0031 ohm SOP Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.130 50+$1.870 100+$1.690 250+$1.510 500+$1.310 Más precios…		N Channel	0	100	90	3100µohm	0	SOP	Surface Mount	10	0	2.5	210	8Pines	175	-	-
	TPH3R10AQM,LQ(M1	33AK7206 Data Sheet RoHS Fecha y lote	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 100 V 120 A 0.0031 ohm SOP Advance Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.660 50+$2.340 100+$2.120 250+$1.890 500+$1.650 Más precios…		N Channel	0	100	120	3100µohm	0	SOP Advance	Surface Mount	10	0	3.5	210	8Pines	175	-	-
	TPH1R306PL1,LQ(M	72AK4599 Data Sheet RoHS Fecha y lote	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 60 V 280 A 0.001 ohm SOP Advance Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.930 50+$2.580 100+$2.320 250+$2.080 500+$1.810 Más precios…		N Channel	-	60	280	1000µohm	-	SOP Advance	Surface Mount	10	-	2.5	210	8Pines	175	-	U-MOSIX-H Series
	TPHR7404PU,L1Q(M	72AK4596 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 40 V 400 A 510 µohm SOP Advance Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.540 50+$2.250 100+$2.020 250+$1.810 500+$1.580 Más precios…		N Channel	-	40	400	510	-	SOP Advance	Surface Mount	10	-	3	210	8Pines	175	-	U-MOSIX-H Series
	TPH2R408QM,LQ(M1	72AK4609 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 80 V 200 A 0.0019 ohm SOP Advance Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.120 50+$1.870 100+$1.690 250+$1.510 500+$1.310 Más precios…		N Channel	-	80	200	1900µohm	-	SOP Advance	Surface Mount	10	-	3.5	210	8Pines	175	-	U-MOSX-H Series
	TPH9R00CQ5,LQ(M1	69AK9349 Data Sheet RoHS Fecha y lote	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 150 V 64 A 0.0073 ohm SOP Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.800 50+$2.470 100+$2.230 250+$1.990 500+$1.730 Más precios…		N Channel	-	150	64	7300µohm	-	SOP	Surface Mount	10	-	4.5	210	8Pines	175	-	-
	TPH2R70AR5,LQ(M1	46AM3181 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 100 V 190 A 2700 µohm SOP Advance Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$3.450 50+$3.030 100+$2.730 250+$2.440 500+$2.130 Más precios…		Canal N	-	100	190	2700	-	SOP Advance	Montaje Superficial	10	-	4.3	210	8Pines	175	-	U-MOS11-H Series
	TPHR6704RL,LQ(T	89AM6043 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 40 V 420 A 670 µohm SOP Advance Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$3.940 50+$3.480 100+$3.190 250+$2.880 500+$2.500 Más precios…		Canal N	-	40	420	670	-	SOP Advance	Montaje Superficial	10	-	2	210	8Pines	175	-	-
	STB45N65M5	45AC7527 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS MOSFET de Potencia Canal N 650 V 35 A 0.067 ohm TO-263 (D2PAK) Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$11.510 50+$7.110 100+$6.700 250+$6.690 500+$6.680 Más precios…		N Channel	Canal N	650	35	0.067	0.067ohm	TO-263 (D2PAK)	Surface Mount	10	210W	4	210	3Pines	150	-	MDmesh V
	IPB80N06S2L07ATMA3	34AC1661 Data Sheet RoHS	INFINEON MOSFET de Potencia Canal N 55 V 80 A 0.0067 ohm TO-263 (D2PAK) Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$4.130 50+$2.670 100+$1.940 250+$1.820 500+$1.690 Más precios…		Canal N	0	55	80	0.0067	0	TO-263 (D2PAK)	Montaje Superficial	10	0	1.6	210	3Pines	175	AEC-Q101	OptiMOS Series
	TPHR6503PL1,LQ(M	09AK8976 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET de Potencia Canal N 30 V 420 A 0.00041 ohm SOP Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.460 50+$2.160 100+$1.950 250+$1.750 500+$1.530 Más precios…		N Channel	0	30	420	0.00041	0	SOP	Surface Mount	10	0	2.1	210	8Pines	175	-	-
	STW34NM60N.	28AC3479 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS MOSFET de Potencia Canal N 600 V 29 A 0.092 ohm TO-247 Agujero Pasante		Cada	1+$12.670 10+$8.870 25+$8.730 50+$8.590 100+$8.450 Más precios…		Canal N	Canal N	600	29	0.092	0.092ohm	TO-247	Agujero Pasante	10	210W	3	210	3Pines	150	-	-

Artículos por página:

1-14 de 14 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS