265mA MOSFETs Sencillos | Newark Electrónica México

Aviso Importante:

Debido a mejoras recientes en nuestros sistemas, los tiempos de procesamiento pueden ser mayores. Agradecemos su comprensión y confianza.

Encuentre una amplia gama de 265mA MOSFETs Sencillos en Newark Electrónica México. Disponemos de una amplia gama de MOSFETs Sencillos, como 100A, 12A, 120A & 40A MOSFETs Sencillos de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Nexperia & Diodes Inc..

Comparar	Número de pieza del fabricante	Código Farnell	Fabricante / Descripción	Disponibilidad	Precio para	Precio en USD	Cantidad	Tipo de Canal	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente	Diseño de Transistor	Montaje de Transistor	Voltaje de Prueba Rds(on)	Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente	Disipación de Potencia	No. de Pines	Temperatura de Trabajo Máx.

	NX138BKR	82Y7107 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET CANAL N 60 V 0.265 A SOT-23-3		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	5+$0.174 15+$0.112 25+$0.110		N Channel	60V	265mA	2.1ohm	SOT-23	Surface Mount	10V	1V	310mW	3Pines	150°C
	BSN20BKR	84Y9813 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MISCELLANEOUS MOSFETS		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	5+$0.276 15+$0.176 25+$0.173		N Channel	60V	265mA	2.8ohm	SOT-23	Surface Mount	10V	1V	310mW	3Pines	150°C
	NX138BKR	86AK5898 RoHS	NEXPERIA MOSFET CANAL N 60 V 0.265 A SOT-23-3		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+$0.041 9000+$0.035 15000+$0.034		N Channel	60V	265mA	2.1ohm	SOT-23	Surface Mount	10V	1V	310mW	3Pines	150°C
	ZVP4525GTA	29AK9125 Data Sheet RoHS	DIODES INC. MOSFET CANAL P 250V 0.265A SOT-223		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$1.450 50+$0.678 100+$0.602 250+$0.590 500+$0.578 Más precios…		P Channel	250V	265mA	10ohm	SOT-223	Surface Mount	10V	1.5V	2W	3Pines	150°C
	BSN20BKR	86AK4495 RoHS Fecha y lote	NEXPERIA Diodos transistores y dispositivos semi		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+$0.072 9000+$0.062 15000+$0.061		N Channel	60V	265mA	2.8ohm	SOT-23	Surface Mount	10V	1V	310mW	3Pines	150°C

Artículos por página:

1-5 de 5 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS