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Serie E MOSFETs Sencillos :

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Tipo de Canal
Transistor, Polaridad
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Resistencia de Activación Rds(on)
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
Diseño de Transistor
Montaje de Transistor
Voltaje de Prueba Rds(on)
Disipación de Potencia Pd
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
Disipación de Potencia
No. de Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
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38Y8540

RoHS

Cada
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Canal N
Canal N
500
19
0.16ohm
0.16
TO-220FP
Agujero Pasante
10
34W
4
34
3Pines
150
Serie E
38Y8538

RoHS

Cada
1000+
$1.450
Canal N
Canal N
500
14.5
0.243ohm
0.243
TO-220FP
Agujero Pasante
10
33W
4
33
3Pines
150
Serie E
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