Arreglo de Transistores de Unión Bipolar - BJT | Newark Electrónica México

Comparar	Número de pieza del fabricante	Código Farnell	Fabricante / Descripción	Disponibilidad	Precio para	Precio en USD	Cantidad	Transistor, Polaridad	Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor	Voltaje Máx. Colector a Emisor	Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor	Corriente del Colector Continua	Disipación de Potencia	Corriente NPN de Colector Continua	Corriente PNP de Colector Continua	Disipación de Potencia NPN	Disipación de Potencia PNP	Frecuencia de Transición	Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD	Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.	Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD	Diseño de Transistor	No. de Pines	Montaje de Transistor	Temperatura de Trabajo Máx.	Frecuencia de Transición NPN	Frecuencia de Transición PNP	Calificación

	2SC4213-B(TE85L,F)	10AK1272 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Arreglo de Transistores Bipolares NPN 20 V 300 A 100 mW		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.398 50+$0.246 100+$0.155 250+$0.135 500+$0.115 Más precios…		NPN	20	20V	-	300mA	100mW	300	-	100	-	30MHz	350	200hFE	-	SOT-323	3Pines	Surface Mount	125	30	-	-
	2SC2713-GR,LF(T	10AK1268 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Arreglo de Transistores Bipolares NPN 120 V 100 A 200 mW		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.296 50+$0.229 100+$0.140 250+$0.114 500+$0.096 Más precios…		NPN	120	120V	-	100mA	200mW	100	-	200	-	100MHz	200	200hFE	-	TO-236MOD	3Pines	Surface Mount	150	100	-	AEC-Q101
	2SA1587-GR,LF(T	10AK1266 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Arreglo de Transistores Bipolares PNP 120 V 100 mA		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.238 50+$0.185 100+$0.112 250+$0.092 500+$0.077 Más precios…		PNP	-	120V	120	100mA	200mW	-	100	-	200	100MHz	-	200hFE	200	SOT-323	3Pines	Surface Mount	150	-	100	AEC-Q101
	MT3S111(TE85L,F)	09AK5786 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Arreglo de Transistores Bipolares NPN 6 V 100 mA 160 mW		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.591 50+$0.476 100+$0.435 250+$0.411 500+$0.394 Más precios…		NPN	6	6V	-	100mA	700mW	100	-	160	-	11.5GHz	200	200hFE	-	TO-236	3Pines	Surface Mount	150	11.5	-	-
	2SC3326-B,LF(T	10AK1270 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Arreglo de Transistores Bipolares NPN 20 V 300 A 200 mW		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.404 50+$0.310 100+$0.211 250+$0.175 500+$0.147 Más precios…		NPN	20	20V	-	300mA	200mW	300	-	200	-	30MHz	200	200hFE	-	TO-236MOD	3Pines	Surface Mount	150	30	-	AEC-Q101
	BC847BPDW1T1G	67R4425 Data Sheet RoHS	ONSEMI Arreglo de Transistores Bipolares NPN y PNP Complementario 45 V 45 V 100 mA 100 mA 380 mW		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.212 50+$0.131 100+$0.085 250+$0.075 500+$0.065 Más precios…		NPN y PNP Complementario	45	45V	45	100mA	380mW	100	100	380	380	100MHz	200	200hFE	200	SOT-363	3Pines	Surface Mount	150	100	100	-
	BC846BPN,115	75T6352 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Arreglo de Transistores Bipolares NPN PNP 65 V 65 V 100 mA 100 mA 200 mW		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	5+$0.353 50+$0.214 100+$0.131 250+$0.113 500+$0.095 Más precios…		NPN, PNP	65V	65V	65V	100mA	200mW	100	100	200	200	-	200	200hFE	200	SOT-363	6Pines	Surface Mount	150	100	100	-
	BC846DS,115	75T6354 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Arreglo de Transistores Bipolares NPN 65 V 100 mA 250 mW		Cada	5+$0.618 10+$0.378 100+$0.236 500+$0.175 1000+$0.155 Más precios…		Dual NPN	65V	65V	-	100mA	250mW	100	-	250	-	-	200	200hFE	-	SOT-457	6Pines	Surface Mount	150	100	-	-
	BC856BS,115	75T6356 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Arreglo de Transistores Bipolares PNP Doble 65 V 100 mA		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	5+$0.353 50+$0.214 100+$0.131 250+$0.113 500+$0.095 Más precios…		Dual PNP	-	65V	65V	100mA	200mW	-	100	-	200	-	-	200hFE	200	SOT-363	6Pines	Surface Mount	150	-	100	-
	CPH5524-TL-E	02AC3524 Data Sheet RoHS	ONSEMI Arreglo de Transistores Bipolares NPN PNP 50 V 50 V 3 A 3 A 1.2 W		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$1.180 50+$0.759 100+$0.523 250+$0.473 500+$0.422 Más precios…		NPN, PNP	50	50V	50	3A	1.2W	3	3	1.2	1.2	-	200	200hFE	200	SC-74A	5Pines	Surface Mount	150	380	390	-

Artículos por página:

1-10 de 10 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS