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PSMN0R7-25YLDX
MOSFET, N-CH, 25V, 300A, SOT-1023-4
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN0R7-25YLDX
No. Parte Newark84Y6413
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id300A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente570µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-1023
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.66V
Disipación de Potencia158W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
570µohm
Diseño de Transistor
SOT-1023
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.66V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
158W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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