Imprimir página
BS170F
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.736 |
| 10+ | $0.619 |
| 25+ | $0.559 |
| 50+ | $0.508 |
| 100+ | $0.450 |
| 250+ | $0.407 |
| 500+ | $0.343 |
| 1000+ | $0.334 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.68
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBS170F
No. Parte Newark37K9713
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id150mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia330mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BS170F de Diode Inc es un DMOS FET vertical con modo de mejora de canal N de montaje en superficie en paquete SOT-23.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 60V
- Voltaje de compuerta a fuente (Vgs) de ±20
- Corriente de drenaje continua (Id) 0.15mA a 25°C
- Disipación de potencia (Pd) de 330mW
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
- Baja resistencia al estado de 5ohm a Vgs 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
150mA
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BS170F
3 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto