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DMC3028LSD
MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3028LSDCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4724
Re-reeling (Rollos a medida)65T8206RL
Cinta adhesiva65T8206
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2,307 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.271 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.724 |
| 10+ | $0.591 |
| 25+ | $0.522 |
| 50+ | $0.466 |
| 100+ | $0.399 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.271 |
| 5000+ | $0.251 |
| 10000+ | $0.234 |
| 15000+ | $0.218 |
| 25000+ | $0.209 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3028LSDCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4724
Re-reeling (Rollos a medida)65T8206RL
Cinta adhesiva65T8206
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.028
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.028
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.3
Disipación de Potencia de Canal P1.3
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.028
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.3
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.028
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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