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DMC3028LSD
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.028 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3028LSD
No. Parte Newark65T8206
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.794 |
| 10+ | $0.664 |
| 25+ | $0.596 |
| 50+ | $0.541 |
| 100+ | $0.475 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3028LSD
No. Parte Newark65T8206
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id5.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.028
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.028
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.3
Disipación de Potencia de Canal P1.3
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMC3028LSD es un MOSFET complementario de modo de mejora dual de 30 V con estaño mate recocido sobre terminales de marco de plomo de cobre soldables según el estándar MIL-STD-202, método 208. Es ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia como convertidores CD-CD y retroiluminación.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.028
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.3
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.028
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMC3028LSD
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto