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DMC3400SDW-7
MOSFET, CANAL P Y N, 30V, 0.65A, SOT-363
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3400SDW-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4725
Re-reeling (Rollos a medida)68AH9532RL
Cinta adhesiva68AH9532
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.106 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.53 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.409 |
| 50+ | $0.258 |
| 100+ | $0.167 |
| 250+ | $0.148 |
| 500+ | $0.128 |
| 1000+ | $0.116 |
| 2500+ | $0.113 |
| 5000+ | $0.111 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.106 |
| 9000+ | $0.094 |
| 15000+ | $0.089 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3400SDW-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4725
Re-reeling (Rollos a medida)68AH9532RL
Cinta adhesiva68AH9532
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N650mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P650mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.2ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N310mW
Disipación de Potencia de Canal P310mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
650mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.2ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
310mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
650mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
310mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto