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DMG6601LVT-7
MOSFET, CANAL N Y P, 30 V, TSOT-26
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6601LVT-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4747
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6568RL
Cinta adhesiva82Y6568
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.158 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.16 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.612 |
| 50+ | $0.289 |
| 100+ | $0.258 |
| 250+ | $0.257 |
| 500+ | $0.256 |
| 1000+ | $0.255 |
| 2500+ | $0.254 |
| 5000+ | $0.214 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.158 |
| 9000+ | $0.141 |
| 15000+ | $0.138 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6601LVT-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4747
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6568RL
Cinta adhesiva82Y6568
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.034ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N850mW
Disipación de Potencia de Canal P850mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.034ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
850mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.034ohm
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
850mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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