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DMN6040SSD-13
MOSFET, CANAL N DOBLE, 60 V, SOIC-8
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN6040SSD-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4780
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6578RL
Cinta adhesiva82Y6578
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.334 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.67 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.100 |
| 10+ | $0.721 |
| 15+ | $0.665 |
| 25+ | $0.608 |
| 50+ | $0.552 |
| 125+ | $0.496 |
| 250+ | $0.448 |
| 500+ | $0.400 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.334 |
| 7500+ | $0.303 |
| 12500+ | $0.290 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN6040SSD-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4780
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6578RL
Cinta adhesiva82Y6578
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.03ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.03ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.3W
Disipación de Potencia de Canal P1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.03ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.3W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.03ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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