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DMN63D8LV-7
MOSFET AEC-Q101 CANAL N DOBLE 30V SOT563
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN63D8LV-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4792
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6581RL
Cinta adhesiva82Y6581
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.091 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.339 |
| 50+ | $0.182 |
| 100+ | $0.140 |
| 250+ | $0.125 |
| 500+ | $0.109 |
| 1000+ | $0.099 |
| 2500+ | $0.089 |
| 5000+ | $0.080 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.091 |
| 9000+ | $0.080 |
| 15000+ | $0.078 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN63D8LV-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4792
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6581RL
Cinta adhesiva82Y6581
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N260mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P260mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.8ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.8ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N450mW
Disipación de Potencia de Canal P450mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
260mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.8ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
450mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
260mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
450mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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